CN119041006A 一种快速生长大尺寸高质量碳化硅单晶的装置及方法 （北京晶格领域半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119041006A

(43)申请公布日2024.11.29

(21)申请号202411535920.3

(22)申请日2024.10.31

(71)申请人北京晶格领域半导体有限公司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义区临空二路1号

(72)发明人王国宾张泽盛

(74)专利代理机构北京格允知识产权代理有限

公司11609

专利代理师刘晓

(51)Int.Cl.

C30B15/00(2006.01)

C30B15/20(2006.01)

C30B15/30(2006.01)

C30B27/02(2006.01)

C30B