CN119041014A 一种用于气相生长碳化硅单晶的方法及装置 (北京晶格领域半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-09-21 发布于重庆
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CN119041014A 一种用于气相生长碳化硅单晶的方法及装置 (北京晶格领域半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119041014A

(43)申请公布日2024.11.29

(21)申请号202411535919.0

(22)申请日2024.10.31

(71)申请人北京晶格领域半导体有限公司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义区临空二路1号

(72)发明人王国宾张泽盛

(74)专利代理机构北京格允知识产权代理有限

公司11609

专利代理师李亚东

(51)Int.Cl.

C30B23/00(2006.01)

C30B29/36(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名

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