光催化氧化去除VOCs的机理研究综述.docVIP

光催化氧化去除VOCs的机理研究综述

一、光催化氧化体系的核心反应基础

光催化氧化技术的核心反应依赖于半导体催化剂的能带结构特征，典型的半导体光催化剂由填满电子的价带（VB）、空的导带（CB）以及介于两者之间的禁带构成。当能量等于或高于禁带宽度（Eg）的光子照射到催化剂表面时，价带中的电子被激发跃迁至导带，同时在价带产生具有强氧化性的空穴（h?），形成电子-空穴对。在无复合猝灭的理想条件下，空穴可与催化剂表面吸附的H?O或OH?反应生成羟基自由基（·OH），导带电子则与吸附的O?反应生成超氧阴离子自由基（·O??），这些活性氧物种共同构成了降解VOCs的核心氧化活性中心。

不同半导体催化剂的禁带宽度直接决定了其响应光谱范围和氧化还原电位。以常见的TiO?为例，其锐钛矿相的禁带宽度约为3.2eV，仅能响应波长小于387nm的紫外光，价带空穴的氧化电位可达+2.7V（vs.NHE），能够氧化绝大多数VOCs分子。而新型铋系催化剂如BiVO?的禁带宽度约为2.4eV，可响应波长小于516nm的可见光，但其价带氧化电位约为+2.5V，虽然光谱响应范围拓宽，但氧化能力略有下降。近年来研究发现，通过构建异质结结构（如Z型、S型异质结）可同时实现光谱响应范围拓宽和氧化还原电位保留，例如TiO?/g-C?N?S型异质结在可见光下的·OH生成量是单一g-C?N?的4.2倍，为可见光驱动VOCs降解