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半导体概论试题及答案.docx

半导体概论试题及答案.docx

    半导体概论试题及答案

    一、单项选择题（共20分，每题2分）

    1.在本征半导体中，空穴的浓度等于电子的浓度，且随温度的升高而（）。

    A.降低

    B.不变

    C.升高

    D.先升高后降低

    答案：C

    2.在N型半导体中，多数载流子是（）。

    A.空穴

    B.电子

    C.离子

    D.光子

    答案：B

    3.PN结处于正向偏置时，耗尽层的宽度会（）。

    A.变宽

    B.变窄

    C.不变

    D.瞬间消失

    答案：B

    4.硅（Si）的禁带宽度约为（）eV。

    A.0.67

    B.1.12

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