电子技术基础（模电）期末考试速记列表｜函授期末专用.docxVIP

电子技术基础（模电）期末考试速记列表｜函授期末专用

速记说明：专为函授期末整理，只保留必考概念、选择填空考点、简答核心、公式结论，避开超纲难题，考前直接背、直接得分。

一、半导体基础（必考选择/填空）

1.本征半导体

纯净、无杂质的半导体（硅、锗）。常温下产生电子、空穴两种载流子，成对出现。

2.杂质半导体

N型半导体：掺五价杂质（磷），电子为多数载流子，空穴少数。

P型半导体：掺三价杂质（硼），空穴为多数载流子，电子少数。

口诀：N多电子、P多空穴。

3.PN结核心特性（重中之重）

单向导电性：正偏导通、反偏截止。

正向偏置：P接+、N接-，耗尽层变窄，导通。

反向偏置：P接-、N接