SJT 12068-2025 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法标准立项发展报告.docxVIP

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:ReliabilityTestMethodsforSiliconCarbideMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistors

摘要

随着第三代半导体产业的快速发展，碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）凭借其高击穿电场强度、高导热率和低导通电阻等优异特性，在新能源汽车、光伏逆变、轨道交通及航空航天等领域得到广泛应用。然而，SiCMOSFET在长期服役过程中面临栅氧可靠性、高温偏置稳定性、体二极管退化等关键可靠性问题，亟需统一的可靠性试验方法标准加以规范。本标准（SJ/T12068-2025）由行业标准-电子发布机构批准发布，于2025年12月19日发布，将于2026年7月1日正式实施，属于现行行业标准。本标准系统规定了SiCMOSFET的可靠性试验方法，涵盖高温栅偏试验、高温反偏试验、高温高湿反偏试验、功率循环试验、高温存储试验及体二极管应力试验等核心项目，明确了试验条件、测试电路、失效判据及数据记录要求。本标准的制定填补了国内SiC功率器件可靠性试验方法标准的空白，为器件制造企业、整机应用厂商及第三方检测机构提供了统一的技术依据，对推动我国第三代半导体