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新型二维WSe_2基场效应晶体管设计及逻辑运算应用研究.pdf

新型二维WSe_2基场效应晶体管设计及逻辑运算应用研究.pdf

    摘要

    现代电子信息器件和集成电路的迅猛发展对半导体器件的性能与集成度提出了严

    苛要求。然而，适用于该领域的硅基半导体器件在持续小型化的进程中出现了严重的

    短沟道效应，已无法满足摩尔定律需求。此外，硅基互补金属氧化物半导体逻辑器件

    在可重构信息器件领域面临着灵活性差、功耗高等诸多瓶颈。为进一步实现器件的小

    型化并提升其性能，对新型材料以及器件结构的设计变得极为迫切。二维过渡金属硫

    族化合物，由于其具备原子级别的厚度，并且拥有带隙可调、迁移率高的特性，因此，

    在对短沟道效应起到显著抑制作用的基础上也为多

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