IEC 60747-2-2025 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 标准立项发展报告.docxVIP

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  • 2026-09-25 发布于北京
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IEC 60747-2-2025 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 标准立项发展报告.docx

半导体器件分立器件第2部分:整流二极管标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices-Part2:Discretedevices-Rectifierdiodes

摘要:整流二极管作为半导体分立器件中应用最为广泛的基础元器件之一,是电力变换、电源管理、通信设备及工业控制系统的关键组成部分。随着第三代半导体材料(碳化硅、氮化镓)的产业化进程加速以及新能源汽车、光伏储能、AI算力基础设施等高功率密度应用场景的爆发式增长,整流二极管的技术路线、封装形态与可靠性要求正经历深刻变革。国际电工委员会半导体器件技术委员会(IEC/TC47)适时推出了IEC60747-2-2025《半导体器件分立器件第2部分:整流二极管》新版国际标准。该标准于2025年9月29日正式实施,全面替代旧版技术规范,在术语定义、极限参数体系、电热特性测试方法、可靠性试验条件及环境适应性要求等方面做出了系统性更新。本次修订重点纳入了高压大电流器件的新测试标准、瞬态热阻抗特性描述的优化方案以及针对车规级应用的更为严苛的耐久性试验条件。本报告系统梳理了该标准的立项背景、技术演进脉络、核心修订内容及产业影响,旨在为标准使用者提供权威解读,助力我国半导体器件产业提升国际竞争力。

关键词:整流二极管(Rectifier

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