(2025年)半导体芯片制造中、高级工考试题(含答案).docxVIP

(2025年)半导体芯片制造中、高级工考试题(含答案)

一、判断题（共20题，每题1分，满分20分。正确打“√”，错误打“×”）

1.12英寸硅单晶直拉生长过程中，采用磁场施加（MCZ）工艺可有效抑制熔体热对流，将硅片径向电阻率均匀性控制在±3%以内，满足3nmGAA制程对衬底材料的参数要求。

2.2025年量产导入的0.55NA高数值孔径EUV光刻设备，单次曝光分辨率可达8nm，配合自对准双重图形化技术可实现2nm制程逻辑芯片的高精度图形转移。

3.干法刻蚀多晶硅栅极过程中，采用氟基气体作为主刻蚀剂时对栅氧层的选择比可达100:1以上，因此无需设置刻蚀终点检测环节即可保证栅氧层完整性。

4.采用APM（SC-1，氨水:双氧水:去离子水=1:1:5）溶液清洗晶圆表面颗粒时，溶液温度需严格控制在65-75℃，若温度超过80℃会导致硅片表面产生雾面缺陷，降低后续薄膜层的附着强度。

5.6英寸碳化硅外延片生长过程中，采用台阶流生长模式可将外延层螺位错密度控制在0.1个/cm2以下，满足1200V车规级功率器件的制造要求。

6.离子注入过程中，为避免沟道效应导致的注入深度偏差，需将晶圆倾斜0°放置，保证离子垂直入射到晶圆晶格间隙位置。

7.铜互连化学机械抛光（CMP）过程中，抛光液中加入苯并三氮唑（BTA）作为缓蚀剂，可在铜表面形成致密钝化层，有效降低碟形缺陷的产生概率，3