微电子科学试题及答案.docxVIP

微电子科学试题及答案

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

本征半导体在绝对零度条件下的导电特性符合以下哪项描述

A.自由电子浓度远高于空穴浓度，表现出强导电性

B.价带中所有电子都被束缚，导带不存在自由载流子，相当于绝缘体

C.空穴浓度远高于自由电子浓度，表现出P型半导体特性

D.载流子浓度稳定处于室温本征载流子浓度水平，导电性基本不变

答案：B

解析：正确选项依据是绝对零度下半导体的价带完全被电子填满，导带为空，没有可参与导电的自由载流子，呈现绝缘特性。A选项错误，绝对零度下不存在可自由移动的电子；C选项错误，本征半导体没有杂质电离提供多余空穴，不可能直接表现P型特性；D选项错误，本征载流子浓度随温度变化极大，绝对零度下的数值远低于室温水平。

硅基PN结内建电场的常规方向是

A.从P型区指向N型区

B.从N型区指向P型区

C.平行于PN结的界面方向分布

D.不存在固定方向，随掺杂浓度随机变化

答案：B

解析：正确选项依据是PN结形成过程中，N区的电子向P区扩散、留下带正电的电离施主，P区的空穴向N区扩散、留下带负电的电离受主，最终形成的空间电荷区电场方向由正电荷区指向负电荷区，也就是从N区指向P区。A选项方向完全相反；C选项错误，内建电场垂直于PN结界面，阻碍载流子的进一步扩散；D选项错误，内建电场方向由两侧掺杂的导电类型决定，是固定可预测的。

单晶硅