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格科微工艺笔试题目

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在半导体制造中，N型掺杂通常是通过以下哪种方式实现的？

A.离子注入

B.氧化

C.扩散

D.光刻

E.CVD沉积

2.根据能带理论，半导体材料的导电性主要取决于其：

A.晶体结构

B.离子键合强度

C.能带隙大小

D.杂质浓度

E.温度

3.PN结在正向偏置时，其主要特性是：

A.扩散电流远大于漂移电流

B.漂移电流远大于扩散电流

C.电流几乎为零

D.结电场增强

E.结电阻变小

4.以下哪种设备主要用于通过等离子体化学反应在基板上沉积薄膜？

A.光刻机

B.离子注入机

C.薄膜沉积炉（例如PECVD,CVD）

D.良率检测设备

E.湿法刻蚀机

5.在薄膜沉积工艺中，衡量薄膜厚度均匀性的常用指标是：

A.薄膜应力

B.薄膜密度

C.厚度标准偏差（或均匀ity）

D.薄膜附着力

E.沉积速率

6.CVD（化学气相沉积）工艺中，薄膜的成分主要由以下哪个因素决定？

A.基板温度