YST 1745-2025 分子束外延（MBE）用高纯铝源标准立项发展报告.docx

分子束外延（MBE）用高纯铝源标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:High-PurityAluminumSourceforMolecularBeamEpitaxy(MBE)

摘要

分子束外延（MBE）技术是制备半导体量子器件、红外探测器及高速电子器件的核心手段，其源材料的纯度与稳定性直接决定外延薄膜的质量与器件性能。高纯铝源作为MBE工艺中重要的P型掺杂源和铝组分来源，长期以来缺乏统一的国家或行业标准，导致产品质量参差不齐、检测方法各异、市场秩序亟待规范。在此背景下，YS/T1745-2025《分子束外延（MBE）用高纯铝源