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先进逻辑芯片制造中的全环绕栅极晶体管外延设备技术挑战

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据与对比信息。

本报告说明

本报告聚焦先进逻辑芯片制造中全环绕栅极（GAA,Gate-All-Around）晶体管所需的外延设备技术挑战，重点研究GAA结构中SiGe/Si超晶格选择性外延的均匀性控制，以及减压外延设备的腔体设计与产能瓶颈。报告基于公开技术文献、设备厂商资料、晶圆厂产能规划与产业链调研数据撰写。

核心发现如下：3nm及以下逻辑节点普遍采用GAA架构，SiGe/Si超晶格作为纳米片（n