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8英寸碳化硅衬底量产技术：PVT法、HTCVD法与LPE法的技术路线竞争

本报告说明

本报告聚焦8英寸碳化硅（SiC）单晶衬底量产阶段三大主流技术路线——物理气相输运法（PVT）、高温化学气相沉积法（HTCVD）与液相外延法（LPE）——的竞争态势。报告以材料与装备视角，系统梳理Wolfspeed、Coherent（II-VI）、罗姆（ROHM/SiCrystal）、Resonac（旧称昭和电工）、天岳先进、天科合达、烁科晶体、Norstel（被SICC收购）等国内外厂商在扩径至8英寸过程中面临的缺陷密度、翘曲度控制等核心工程难题，并对比各工艺路线的良率、成本与可扩展性。

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