半导体器件分立器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 标准立项发展报告.docx

半导体器件分立器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices—DiscreteDevices—FamilySpecificationforSiliconCarbideMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistors

摘要：

随着新能源汽车、光伏储能、智能电网及轨道交通等战略性产业的迅速发展，以碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体材料凭借其优异的耐高压、耐高温和低损耗特性，成为推动功率电