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2026年半导体制造岗位考试题(含答案)

一、单项选择题（共10题，每题2分，总计20分。每题只有1个最符合题意的正确答案，多选、错选、不选均不得分）

1.2026年进入量产阶段的2nm逻辑制程芯片，其核心器件结构为（）

A.平面MOSFET

B.FinFET（鳍式场效应管）

C.GAA纳米片（环绕栅极纳米片）

D.CFET（互补场效应管）

2.支撑2nm及以下制程的High-NAEUV光刻机，其数值孔径核心参数为（）

A.0.33

B.0.55

C.0.75

D.1.0

3.铜互连层CMP工艺中，研磨液的主流pH环境为（）

A.强酸性（pH2）

B.弱酸性（pH4-6）

C.弱碱性（pH9-11）

D.强碱性（pH13）

4.离子注入工艺中，决定晶圆表面掺杂原子浓度的核心参数是（）

A.注入能量

B.注入剂量

C.束流偏转角度

D.晶圆温度

5.依据ISO14644-1洁净室标准，前道晶圆制造核心工艺区（如光刻区）需达到ISO1级，其≥0.1μm悬浮粒子的浓度上限为（）

A.10颗/立方米

B.100颗/立方米

C.1000颗/立方米

D.1颗/立方米

6.GAA纳米片器件的高深宽比沟槽刻蚀需采用的主流设备类型是（）

A.电容耦合等离子体刻蚀机（CCP）

B.电感耦合等离子体刻蚀机（ICP）

C.离子束刻