1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内外标准规范

CN119855208A 碳化硅功率器件元胞结构及其制备方法、半导体器件 （比亚迪半导体股份有限公司）.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约2.66万字
  • 约 24页
  • 2026-09-28 发布于重庆
  • 举报

CN119855208A 碳化硅功率器件元胞结构及其制备方法、半导体器件 （比亚迪半导体股份有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119855208A

    (43)申请公布日2025.04.18

    (21)申请号202411491146.0H10D30/60(2025.01)

    H10D30/01(2025.01)

    (22)申请日2024.10.23

    H10D12/00(2025.01)

    (71)申请人比亚迪半导体股份有限公司H10D12/01(2025.01)

    地址518119广东省深圳市大鹏新区葵涌

    H01L23/552(2

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >