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CN119748671A 一种半绝缘碳化硅衬底的制备方法 （杭州华航新材料科技有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-09-28 发布于重庆
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CN119748671A 一种半绝缘碳化硅衬底的制备方法 （杭州华航新材料科技有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119748671A

    (43)申请公布日2025.04.04

    (21)申请号202411886440.1C30B33/00(2006.01)

    B28D5/04(2006.01)

    (22)申请日2024.12.20

    B24B1/00(2006.01)

    (66)本国优先权数据

    202411486496.82024.10.23CN

    (71)申请人杭州华航新材料科技有限公司

    地址310000浙江省杭州市临平区崇贤街

    道塘康路39号3110室

    (72)发明人王为民崔毅

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