SJT 12273-2026 半导体器件封装用烧结银焊膏 标准立项发展报告.docx

SJ/T12273-2026半导体器件封装用烧结银焊膏标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SinteredSilverPasteforSemiconductorDevicePackaging

摘要

随着第三代半导体（宽禁带半导体）技术的迅猛发展，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的功率器件对封装材料的高温可靠性、导热性能及长期稳定性提出了严苛要求。传统钎焊焊料与导电银浆在高温服役环境下存在熔点局限与导热瓶颈，难以满足高功率密度封装需求。在此背景下，烧结银焊膏凭借其独特的低温连接、高温服役特性，以及优异的导热、导电和