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MOS管失调电压分析

蒙特卡洛（MC）仿真

(2012-11-0319:02:19)

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分类：IC设计

标签：

杂谈

关于spectre下蒙特卡洛（MC）仿真的资料有一些，但大都侧重讲如何在ade里设置，前提是foundry提供MC的相关模型。据我所知，t是有的，下面的一些信息还是从t的模型中分析知道的。但是也有些foundry没有，或者即使有，也没有具体讲自己的模型如何使用。所以这里准备从模型的角度讲解这个问题。理解了模型，也就可以自己编写或者看懂foundry的模型文件了。

我们自己先猜测一下MC仿真的过程。从文档上看，MC分为process和mismatch两种，spectreuser的文档具体给了一个示意流程图。在每次MC分析时，（如果选择process）先根据process相关信息，将每个器件的参数统一改变，（如果选择mismatch）再将每个器件的参数单独改变。所以在模型中，就需要提供相关的内容：器件的哪些参数要变，如何变。正常的仿真，器件参数也会变，只不过那时是调用不同的corner。因此哪些参数要变，完全可以仿照corner仿真时各个section的写法。具体的说，就是在每个模型里都有一些参数，parameter，这其实是变量。在每个corner里都给这些parameter赋值。MC时也是这样，需要在模型里有参数，在最前面有参数赋值。只是这里的参数赋值有专