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氮化铝单晶抛光片标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:AlNSingleCrystalPolishingWafer

摘要

氮化铝（AlN）单晶作为超宽禁带半导体材料的典型代表，凭借其超宽的禁带宽度（约6.2eV）、极高的热导率（约319W/(m·K)）、优异的电绝缘性和接近SiC的热膨胀系数匹配特性，在深紫外光电子器件、高频大功率射频器件及高温高频电子器件领域展现出不可替代的应用前景。然而，长期以来我国缺乏统一的氮化铝单晶抛光片产品标准，导致市场产品质量参差不齐、检测方法不一，严重制约了该材料的规模化应用与产业链协同发展。本标准（GB/T47097-2026）正是在这一背景下立项制定的。报告系统阐述了标准的立项背景、编制原则、主要技术内容及其创新点，重点解析了标准中关于晶体完整性、表面质量、几何参数及电学性能等核心指标的科学依据。标准的发布与实施将填补我国在此领域的标准空白，为产品认证、贸易往来及下游器件研发提供统一的技术标尺，对推动我国宽禁带半导体产业链自主可控和高质量发展具有深远的战略意义。

关键词：氮化铝单晶；抛光片；宽禁带半导体；产品标准；晶体质量；表面缺陷；标准化

Keywords:AlNsinglecrystal;polishingwafer;widebandgapsemiconduct