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宽禁带半导体材料与工艺实战指南.pdf

宽禁带半导体材料与工艺实战指南.pdf

    宽禁带半导体材料与工艺

    1.1宽禁带半导体的概念和发展

    宽禁带半导体（WBS)是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半

    导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料

    影之后的负胶图形如图c的右图所示正性光刻胶中含有大量的感光剂可以显著地抑制正胶在碱性显影液中的溶解速度经过曝光之后感光剂发生分解使得曝光区域的正胶被优先除去其效果如图c的左图所示从应用的过程来看负胶在早期的IC工艺中广泛应用现在正胶的应用已

    主要包括SiC（碳化硅）、

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