大学物理实验(2.10)--磁电材料.pptVIP

在发现低磁场GMR效应之后，1994年C.Tsang等研制出全集成化的GMR器件――自旋阀。同年，美国的IBM公司研制出利用自旋阀原理的数据读出磁头。金属间化合物如Sm-Mn-Ge和钙钛矿结构的稀土锰氧化物膜如Nd-Pb-Mn-O、La-Ba-Mn-O、La-Ca-Mn-O之中均观察到了巨磁或庞磁电阻现象。1993年人们在钙钛矿型稀土锰氧化物中发现了比GMR更大的磁电阻效应即庞磁电阻效应（CMR），开拓了GMR研究的新领域。R1-xAxMnO3，其中A为二价碱土金属离子如Ca2+、Sr2+、Ba2+等，R为三价稀土金属离子如La3+、Pr3+、Tb3+、Sm3+等，具有巨磁或庞磁电阻。由于其在磁记录、磁传感器等方面潜在的应用前景，以及金属-绝缘体相变等所涉及的强关联效应，使该类化合物吸引了物理学、材料、信息等科研人员的广泛注意。钙钛矿型稀土锰氧化物：3、磁电阻材料应用利用磁电阻效应，可以制成磁敏电阻元件，其常用材料有锑化铟、砷化铟等。磁敏传感器应用的最大特点是无接触测量，可以进行微弱磁场检测。实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率正比于磁感应强度的平方，而在强磁场中电阻相对变化率与磁感应强度呈线性关系。因而在物理学和电子学方面有着重要应用。