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黄冈电子试题及答案

一、选择题（共30分，每题2分）

1.关于PN结的形成，下列说法正确的是：

A.P型半导体和N型半导体直接接触形成

B.P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子相互扩散形成

C.PN结的形成是由于掺杂不同导致的

D.PN结的形成是由于温度变化导致的

答案：B。解析：PN结的形成是由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子相互扩散，在交界处形成空间电荷区，从而产生内建电场，阻止载流子的进一步扩散。选项A不完整，没有说明扩散过程；选项C虽然掺杂不同是形成PN结的基础，但没有说明扩散过程；选项D温度变化会影响PN结的特性，但不是形成PN结的原因。

2.在二极管正向偏置时，下列说法正确的是：

A.外加电场方向与内建电场方向相同

B.外加电场方向与内建电场方向相反

C.二极管两端电压等于零

D.二极管中几乎没有电流流过

答案：B。解析：二极管正向偏置时，外加电场方向与内建电场方向相反，削弱了内建电场，使得载流子能够顺利通过PN结，形成较大的正向电流。选项A错误，方向应该是相反的；选项C错误，正向偏置时二极管两端有正向压降；选项D错误，正向偏置时二极管中有较大的电流流过。

3.关于三极管的工作状态，下列说法错误的是：

A.放大状态时，发射结正偏，集电结反偏

B.饱和状态时，发射结正偏，集电结