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手机内置GaN功率管理芯片：从充电到多相供电的全集成方案竞争

本报告说明

本报告聚焦手机内置GaN-on-Si功率管理芯片（PMIC）领域，深入剖析其在多相供电架构中替代传统硅LDMOS的技术与商业竞争格局。核心发现表明，随着手机SoC功耗逼近乃至突破15W大关，传统硅基PMIC已遇物理瓶颈，GaN-on-Si单片集成正从外部快充向手机内部渗透。台积电与三星凭借先进工艺节点成为这一变革的核心推手。

报告指出，台积电凭借N5、N4节点及成熟的硅基氮化镓工艺，占据苹果等头部客户；三星则依托4nm及内部IDM优势，在Galaxy系列中加速验证。竞争焦点已从单一能效比，转向热阻管理、