低功耗设计中IR压降挑战与对策.pdf

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IR电压降

多种因素共同作用会导致IR压降故障增加。在过去,采用0.35微米

三层金属工艺的低频电路设计者很少遇到IR压降或电迁移问题。然而,

对于频率超过100

MHz、0.25微米工艺或四层及以上金属层的设计,

出现问题的风险会增加。IR压降问题是指电流流经电源网格中的电源

金属线或金属电阻时产生的压降。

降低金属电阻或减小电流确实有助于解决IR压降问题,但由于金

属间距的缩小和功耗的增加,这可能无法实现。此外,随着供电电压

降低,IR压降的容限也随之减小。因此,我们需要在电源网格设计中

解决IR压降问题。

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