应用于MCM-CD的减薄抛光工艺技术解析.pptxVIP

应用于MCM-CD的减薄抛光工艺技术解析.pptx

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多芯片模块集成的技术演进与核心挑战

减薄抛光工艺的作用机理与技术路径

关键工艺参数对基板质量的影响规律

一体化装备创新与国产化进程突破

典型应用场景与产业生态协同发展

未来发展趋势与技术前沿展望

多芯片模块集成的技术演进与核心挑战

MCM-C/D作为高密度混合集成的先进解决方案，融合共烧陶瓷与薄膜工艺优势

MCM-C/D技术

工艺融合

结合低温共烧陶瓷的高密度布线能力，实现多层互连优化。

融合薄膜工艺的高精度特性，支持微细线路制造。

结构优势

多层共烧陶瓷基板支持高布线层数，提升集成密度。

构建复杂三维互连结构，增强系统空间利用率。

性能提升

显著改善信号完整性，满足高频高速传输需求。

降低信号延迟与串扰，提高系统响应效率。

集成应用

适用于高性能计算与AI加速器的多芯片集成。

支持射频、光通信及蓝牙模块的高密度封装。

稳定性强

提供优异的机械稳定性，适应复杂工作环境。

具备良好的电气稳定性，保障长期可靠运行。

技术挑战

材料热膨胀系数差异导致应力集中，影响界面可靠性。

背面减薄抛光工艺需高平整度控制，增加制造难度。

低温共烧陶瓷基板的总厚度差与表面粗糙度成为制约互连密度的关键瓶颈

控制厚度差

总厚度差（TTV）过大会导致多层布线对准偏差。低温共烧陶瓷基板需将TTV控制在5μm以内。满足MCM-C/D高密度集成的可靠性

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