GBT 20176-2025 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度标准立项发展报告.docxVIP

表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:SurfaceChemicalAnalysis—SecondaryIonMassSpectrometry—DeterminationofBoronAtomicConcentrationinSiliconUsingUniformlyDopedMaterials

摘要

硼作为硅基半导体材料中最重要的P型掺杂元素，其原子浓度的精确测定直接关系到半导体器件的电学性能与可靠性。二次离子质谱（SIMS）凭借其高灵敏度、高深度分辨率和优异的微量元素分析能力，已成为硅中硼掺杂浓度测定的核心技术手段。然而，由于硼在硅中的基体效应显著、相对灵敏度因子（RSF）受多种参数影响，不同实验室间的测量结果往往存在较大偏差，亟需通过标准化手段加以规范。

本标准（GB/T20176-2025）规定了采用均匀掺杂物质作为参考样品，利用二次离子质谱法测定硅中硼原子浓度的分析方法，涵盖参考样品的选择与表征、仪器条件优化、深度剖析程序、相对灵敏度因子校准及不确定度评定等技术内容。本标准由国家标准机构发布，将于2026年1月1日正式实施。

本报告系统阐述了该标准的立项背景、编制过程、主要技术内容、国内外