2025年大学电子科学与技术（智能硬件研发）试题及答案.docVIP

2025年大学电子科学与技术（智能硬件研发）试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

第I卷（选择题共30分）

答题要求：本卷共10小题，每小题3分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。

1.以下哪种半导体材料具有较高的电子迁移率？

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.碳化硅

2.对于MOSFET，当栅源电压VGS大于阈值电压VT时，沟道处于什么状态？

A.截止

B.线性

C.饱和

D.击穿

3.数字电路中，以下哪种逻辑门实现“有0出1，全1出0”的功能？

A.与门

B.或门

C.与非门

D.或非门

4.以下哪种电路可以将模拟信号转换为数字信号？

A.DAC

B.ADC

C.放大器

D.振荡器

5.半导体二极管的正向导通电压一般约为？

A.0.1V

B.0.3V

C.0.7V

D.1V

6.以下哪种放大器组态具有较高的输入电阻和较低的输出电阻？

A.共射极放大器

B.共基极放大器

C.共集电极放大器

D.差分放大器

7.在CMOS电路中，以下哪种说法是正确的？

A.静态功耗大

B.速度慢

C.抗干扰能力强

D.集成度低

8.以下哪种滤波器可以通过低频信号，抑制高频信号？

A.低通滤波器

B.高通滤波器

C.带通滤波器

D.带阻