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SOT-23封装沟道MOSFET技术手册1996版.pdfVIP

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  • 2026-10-04 发布于北京
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SOT-23封装沟道MOSFET技术手册1996版.pdf

    1996年3月｜

    end▁of▁

    Nsentence｜

    NDS356P

    P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管｜end▁of▁sentence｜

    概述｜end▁of▁sentence｜特性｜end▁of▁sentence｜

    这些P沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用‑1.1

    A,

    ‑20V。R=0.3

    @

    V=‑4.5V。

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