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集成电路技术创新计划

一、集成电路技术创新计划概述

集成电路（IC）作为信息产业的核心，是支撑国家科技自立自强和数字经济发展的重要基石。为推动集成电路技术的突破性进展，提升产业链整体竞争力，制定并实施集成电路技术创新计划具有重要意义。本计划旨在通过系统性研发投入、产学研协同、创新生态构建等手段，加速关键技术的迭代升级，强化产业链安全与韧性。

二、集成电路技术创新计划的核心内容

（一）技术研发方向

1.先进逻辑芯片技术

(1)持续推进7纳米及以下先进制程工艺研发，探索3纳米及以下技术可行性。

(2)重点突破高性能、低功耗的AI加速芯片设计，支持智能计算场景需求。

(3)开发自主可控的FPGA架构，提升可编程逻辑器件的国产化率。

2.存储芯片技术创新

(1)推动高密度非易失性存储器（如3DNAND）的研发，提升存储密度至200层以上。

(2)探索新型存储技术，如阻变式存储器（ReRAM）和相变存储器（PCM），降低读写功耗。

(3)发展高速缓存技术，支持数据中心和边缘计算的高效数据存取。

3.模拟与射频芯片技术

(1)提升高精度模数转换器（ADC）的分辨率和采样率，突破14位以上ADC技术瓶颈。

(2)研发高性能射频前端芯片，支持5G/6G通信系统及物联网设备。

(3)优化功率器件性能，降低开关损耗，适用于新能源汽车和工业控制领域。