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碳化硅功率半导体器件制备工艺突破

一、引言

功率半导体器件是电力电子系统的核心基础元件，承担着电能转换与控制的关键作用，广泛应用于新能源发电、电动汽车、轨道交通、工业变频、储能系统等多个领域。随着全球能源转型进程的加快，各领域对电力电子系统的效率、功率密度、可靠性要求不断提升，传统硅基功率器件已经逼近材料的物理性能极限，难以满足下一代电力电子系统的发展需求。碳化硅作为典型的宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为硅材料的三倍，击穿场强约为硅的十倍，热导率约为硅的三倍，同时具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强等优势。基于碳化硅材料制备的功率器件，可实现更高的耐压等级、更快的开关速度、更低的导通损耗，且能