FDBF085 MOSFET技术规格与应用指南.pdfVIP

表格

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边框‑折叠:

折叠;

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表格,

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边框:

1px

实线

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飞兆？

FDB2532_F085

N沟道PowerTrench®

MOSFET

150伏，79安，16米Ω

特性

•rDS(导通)

=14mΩ(典型值)，VGS

=10V，ID

=33A

•Qg（总）

=82nC（典型值），VGS

=10V

•低米勒电荷

•低QRR体二极管

•UIS能力(和重复脉冲)

•通过AEC

Q101认证

•符合RoHS

原开发型号82884

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FAIRCHILD

SEMICONDUCTOR?

FDB2532_F085

N-ChannelPowerTrench®MOSFET

150V,79A,16mΩ

Features

•rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=33A

•Qg(tot)=82nC(Typ.),VGS=10V

•LowMillerCharge

•LowQRRBodyDiode

•UISCapa