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半导体器件考试题及答案

一、单项选择题（共10小题，每小题2分，总计20分。每小题只有一个正确答案，选错、不选均不得分）

室温（300K）下，本征硅的载流子浓度数量级为（）

A.10^10cm^-3B.10^13cm^-3C.10^16cm^-3D.10^19cm^-3

n型杂质半导体中，费米能级的位置通常（）

A.靠近价带顶B.位于禁带中央C.靠近导带底D.位于导带内部

硅PN结的反向击穿电压约为3V时，其主要击穿机制是（）

A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.隧道击穿以外的击穿

已知某BJT的共基极电流放大系数为α=0.98，则其共射极电流放大系数β为（）

A.49B.50C.98D.0.02

n沟道增强型MOSFET的阈值电压Vth通常为（）

A.正值B.负值C.零D.可正可负

当PN结的反向偏置电压增大时，其势垒电容的变化趋势是（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

光电池的核心工作原理是（）

A.光电导效应B.光生伏特效应C.受激辐射效应D.热电效应

晶闸管正常导通后，对其工作状态的描述正确的是（）

A.去掉门极触发信号后立即关断B.门极仍可控制导通状态

C.阳极电流小于维持电流时关断D.反向偏置下仍可维持导通

MESFET（金属