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半导体工艺工程师考试题库及答案

一、单项选择题（共20题，每题1分，共20分）

1.目前主流CMOS逻辑芯片制造采用的硅片晶向通常为（）

A.100B.110C.111D.112

2.光刻工艺中描述分辨率与曝光波长、数值孔径关系的瑞利判据公式为（）

A.R=k1·NA/λB.R=k1·λ/NAC.R=k2·λ·NAD.R=k2·NA/λ

3.关于正性光刻胶的特性，下列说法正确的是（）

A.曝光区域发生交联反应，显影液中溶解度降低

B.曝光区域发生分解反应，显影液中溶解度升高

C.未曝光区域发生交联反应，显影液中溶解度升高

D.未曝光区域发生分解反应，显影液中溶解度降低

4.干法刻蚀相对于湿法刻蚀的核心优势是（）

A.刻蚀选择比更高B.各向异性刻蚀能力强C.设备成本更低D.无等离子体损伤

5.离子注入工艺中，决定掺杂杂质深度的核心参数是（）

A.注入剂量B.注入角度C.注入能量D.束流强度

6.RCA标准清洗工艺中，用于去除硅片表面颗粒污染物的核心步骤是（）

A.SPM清洗B.SC1清洗C.DHF清洗D.SC2清洗

7.化学机械抛光（CMP）能够实现的平坦化级别为（）

A.局部平坦化B.半全局平坦化C.全局