化学气相沉积薄膜应力试验规范.docVIP

化学气相沉积薄膜应力试验规范

1范围

本规范规定了化学气相沉积（CVD）薄膜应力试验的术语定义、试验原理、试验条件、试样制备、试验步骤、数据处理及结果表示、试验报告等内容。本规范适用于采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、低压化学气相沉积（LPCVD）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）等工艺制备的氧化物、氮化物、碳化物、金属及合金薄膜的残余应力测试，薄膜厚度范围为10nm~100μm。对于厚度小于10nm或大于100μm的CVD薄膜，可参考本规范并结合具体材料特性调整试验参数。本规范不适用于多孔、疏松或与衬底结合力小于1MPa的CVD薄膜应力测试，此类薄膜的应力测试需另行制定专项试验方法。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T20247微电子学机械试验薄膜应力测试方法GB/T30704表面化学分析X射线反射法测量薄膜厚度、密度和界面粗糙度ASTMF1904测试薄膜残余应力的标准试验方法：晶片曲率法ISO14679精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）陶瓷薄膜的机械性能室温下薄膜应力的测定

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1化学气相沉积薄膜

通过化学气相沉积工艺，使气态反应物在衬底表面发