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第四代半导体氧化镓的外延生长工艺突破

在功率半导体和深紫外光电器件快速发展的背景下，传统硅材料已逐渐逼近其物理极限。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体虽然显著提升了系统效率和耐压能力，但在更高电压、更高温度、更高功率密度的应用场景中仍存在不足。于是，以氧化镓为代表的第四代超宽禁带半导体进入研究者视野。氧化镓的禁带宽度约四点八电子伏特，理论击穿电场强度可达八兆伏每厘米以上，明显高于碳化硅和氮化镓，这使它天然适合高压功率器件、射频器件以及日盲紫外探测器等应用（美国空军研究实验室，近十年）。然而，氧化镓材料体系具有多晶相、缺陷敏感和p型掺杂困难等特点，高质量外延生长因此成为决定其从材料优势走向器件应用的核心环节。近年来，围绕分子束外延、卤化物气相外延、金属有机物化学气相沉积等主要技术路线，研究者在晶相纯化、界面缺陷抑制、厚膜高速生长和载流子调控等方面取得了一系列突破。本文按照材料基础、工艺路径、缺陷掺杂和器件验证的逻辑展开，系统梳理氧化镓外延生长工艺的关键进展与技术走向。

一、氧化镓材料特性与外延生长面临的核心问题

（一）多晶相体系与晶体结构特点

氧化镓并非只存在一种晶体结构。已知较为常见的有α、β、γ、δ、ε等多种晶相，其中β相属于单斜晶系，热力学上最为稳定，可在高温熔体中稳定存在，因此成为当前研究最集中、器件开发最成熟的一类。与β相不同，α相具有刚玉结构，与蓝宝石衬底结构相近，可在