第三代半导体材料碳化硅研究进展.pptx

content

目录

01

碳化硅材料的战略地位与物理优势

02

关键制备技术的创新与突破

03

大尺寸化进程与产业链协同发展

04

核心应用场景的深度渗透

05

中国企业在全球格局中的角色跃迁

06

未来发展趋势与战略展望

碳化硅材料的战略地位与物理优势

01

作为宽禁带半导体的典型代表，碳化硅在高压、高频、高温场景中展现出远超硅基材料的综合性能

碳化硅特性

高压性能

禁带宽度达3.26eV，约为硅的三倍，提升击穿电场强度。

适用于高压大功率场景，如新能源汽车和电力系统。

高频优势

高电子饱和漂移速度，支持更高开关频率。

降低能量损耗，提升系统能效，适合光伏逆变应用。

高温稳定

热导率约为硅