CN119342903A 一种内嵌pnp和ggnmos的可控硅静电防护器件及其制作方法 （湖南静芯半导体科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119342903A

(43)申请公布日2025.01.21

(21)申请号202411503173.5

(22)申请日2024.10.25

(71)申请人湖南静芯半导体科技有限公司

地址410201湖南省长沙市长沙经济技术

开发区东六路南段77号金科亿达科技

城C2栋1804、1806、1807、1808室

(72)发明人董鹏杨健聂贝贝李幸

(74)专利代理机构深圳市沈合专利代理事务所

(特殊普通合伙)44373

专利代理师沈祖锋

(51)Int.Cl.

H10D89/60(2025.01)

权利要求书2页