2026电力电子器件第三代半导体产线建设资本开支效率比较
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、研究背景与核心问题 5
1.1第三代半导体(SiC/GaN)产线建设现状与趋势 5
1.2资本开支效率定义与研究边界 8
1.32026年市场驱动因素与投资紧迫性 12
二、技术路线与工艺平台差异 16
2.1SiC功率器件产线核心工艺模块 16
2.2GaN功率器件产线核心工艺模块 22
三、产线建设投资结构拆解 24
3.1前道设备资本开支构成 24
3.2后道封装与测试资本开支构成 28
四、设备选型
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