2026年天津理工大学集成电路设计与集成系统专业知识竞赛题库与参考答案解析(精编版).docxVIP

2026年天津理工大学集成电路设计与集成系统专业知识竞赛题库与参考答案解析（精编版）

1.在PN结中，内建电场的方向是？

A.从P区指向N区

B.从N区指向P区

C.垂直于结平面

D.不存在内建电场

答案：B

解析：PN结形成时，N区电子扩散到P区，P区空穴扩散到N区，在交界处形成空间电荷区（耗尽层），N区留下正离子，P区留下负离子，因此内建电场由N区指向P区。

2.以下哪项是MOSFET阈值电压(Vth)的正确定义？

A.使源漏导通所需的最小栅源电压

B.使沟道形成强反型所需的最小栅源电压

C.栅氧化层击穿时的电压

D.饱和区工作的最小漏源电压

答案：B

解析：MOSFET阈值电压(Vth)是指使半导体表面发生强反型（形成导电沟道）所需的最小栅源电压(Vgs)。

3.对于CMOS反相器，传输延迟时间主要受什么因素影响最大？

A.电源电压大小

B.负载电容大小

C.输入信号上升/下降时间

D.晶体管沟道长度

答案：B

解析：CMOS反相器的传输延迟主要是对输出端负载电容进行充放电所需的时间，因此负载电容是主要影响因素。

4.差动放大器的共模抑制比(CMRR)主要衡量其什么能力？

A.放大差模信号的能力

B.抑制共模信号的能力

C.输出摆幅大小

D.功耗效率

答案：B

解析：共模抑制比(CMRR)定义为差模电压增益(Ad)与共模电压增益