半导体设备（CVD离子注入）测试方法速查.docx

《半导体设备（CVD/离子注入）测试方法速查》

文档基础信息栏

项目

填写内容

填写提示

适用产线范围

__

（填写覆盖的Fab车间/工艺节点，如12寸5nm逻辑线/8寸功率器件线，明确不适用的场景边界）

撰写依据

__

（逐一列明引用的正式标准，如SJ/T11650-2016《半导体工艺设备通用测试方法》、SJ/T11489-2015《离子注入机通用技术条件》、厂内设备管理规范Q/XXX-2023，确保所有测试项可溯源）

文档版本号

__

（遵循厂内文档版本迭代规则，如V1.0为首次发布，V1.1为小范围修订）

正式生效日期

__

（填写签核完成后正式执行的年月日）

通用测试前置要求

1