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2026年2026年工学集成电路设计试题及答案

2026年工学集成电路设计试题及答案

一、选择题（共20题，每题2分，共40分）

1.以下哪项不是CMOS电路的主要优点？

A.低功耗

B.高噪声容限

C.制造工艺简单

D.速度较快

2.在MOS晶体管中，当栅极电压等于阈值电压时，晶体管处于什么状态？

A.截止区

B.线性区

C.饱和区

D.亚阈值区

3.以下哪种存储器是非易失性的？

A.SRAM

B.DRAM

C.Flash

D.SDRAM

4.在数字电路设计中，以下哪种逻辑门可以实现任意逻辑功能？

A.NAND门

B.NOR门

C.XOR门

D.AND门

5.以下哪种效应是随着集成电路特征尺寸减小而变得越来越严重的短沟道效应？

A.漏致势垒降低

B.阈值电压滚降

C.迁移率退化

D.以上都是

6.在集成电路制造中，光刻技术的主要作用是什么？

A.在硅片上形成电路图形

B.在硅片上掺杂杂质

C.在硅片上沉积薄膜

D.在硅片上蚀刻图形

7.以下哪种电路结构常用于实现高驱动能力的输出缓冲器？

A.反相器

B.传输门

C.图腾柱结构

D.多路选择器