CN119364762A 一种2t0c-dram存储单元、制备方法和存储阵列 (深圳市存厚科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-10-16 发布于重庆
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CN119364762A 一种2t0c-dram存储单元、制备方法和存储阵列 (深圳市存厚科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119364762A

(43)申请公布日2025.01.24

(21)申请号202411500507.3

(22)申请日2024.10.25

(71)申请人深圳市存厚科技有限公司

地址518035广东省深圳市南山区粤海街

道滨海社区学海路1号海文花园海碧

阁A.B5A1

(72)发明人李毅达许瑞琦李志雄谭康强

(74)专利代理机构武汉华之喻知识产权代理有

限公司42267

专利代理师胡秋萍

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书2页说明书9页附图12页

(54

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