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150V N沟道MOSFET技术规格书.pdfVIP

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  • 2026-10-16 发布于山西
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150V N沟道MOSFET技术规格书.pdf

    2013年3月

    FDH055N15A

    N沟道PowerTrench®

    MOSFET

    150

    V，167

    A，5.9

    mΩ

    特性描述

    =4

    •导通电阻.8

    mΩ(典型值)

    @

    VGS

    =10V，ID

    =120A该

    N

    沟道

    MOSFET

    采用

    Fairchild

    Semiconductor®

    的先进

    •快速开关速度PowerTrench®

    工艺制造，旨在最度地降低导通电阻，同时

    保持优异的开关性能。

    •低栅极电荷

    •高性能沟槽技术实现极低的RDS(on)

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