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半导体物理考试题及答案

一、选择题（共20分，每题2分）

1.在半导体中，下列哪种载流子浓度与温度无关？

A.本征载流子浓度

B.多数载流子浓度

C.少数载流子浓度

D.热平衡载流子浓度

答案：B

解析：在半导体中，载流子浓度与温度的关系各不相同：

A.本征载流子浓度(ni)与温度呈强相关性，随温度升高而指数增加，因为本征激发产生的载流子数量随温度升高而显著增加。

B.多数载流子浓度在杂质半导体中主要由掺杂浓度决定。在室温附近，对于N型半导体，电子浓度约等于施主杂质浓度；对于P型半导体，空穴浓度约等于受主杂质浓度。在这个温度范围内，多数载流子浓度基本不随温度变化。

C.少数载流子浓度与多数载流子浓度和本征载流子浓度都有关，公式为np=ni2，因此少数载流子浓度会随温度变化。

D.热平衡载流子浓度包括多数载流子和少数载流子，因此也与温度有关。

因此，在给定选项中，只有多数载流子浓度在室温附近基本不随温度变化。

2.下列哪种材料是直接带隙半导体？

A.硅(Si)

B.锗(Ge)

C.砷化镓(GaAs)

D.碳化硅(SiC)

答案：C

解析：直接带隙和间接带隙半导体的区别在于导带最小值和价带最大值在k空间中是否位于同一