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电子工程师或技术员面试问答题解题及答案

请阐述半导体PN结的势垒形成机制，以及反向击穿的齐纳击穿和雪崩击穿的核心差异，附典型应用场景区分。解答：PN结由P型半导体与N型半导体通过冶金结合形成，P区重掺杂下多子为空穴、存在大量不可移动的负电离受主，N区重掺杂下多子为自由电子、存在大量不可移动的正电离施主，两侧载流子的浓度梯度驱动多子发生扩散运动：P区空穴向N区扩散后在P区边界留下负电受主，N区电子向P区扩散后在N区边界留下正电离施主，最终在交界面两侧形成总净电荷为零的空间电荷区，也就是PN结势垒区。势垒区内部形成方向由N区指向P区的内建电场，电场会驱动少子发生漂移运动，当扩散电流与漂移电流幅值完