142集成电路的闩锁效应抑制教学要点.docVIP

142集成电路的闩锁效应抑制教学要点

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.闩锁效应主要是由什么引起的？

A.耗尽层电容

B.钝化层缺陷

C.晶体管结构

D.接触电阻

2.以下哪种方法可以有效抑制闩锁效应？

A.增加电源电压

B.减小晶体管尺寸

C.提高工作频率

D.使用更大的电容

3.闩锁效应通常在哪种情况下最易发生？

A.低电源电压

B.高电源电流

C.高工作频率

D.低温度

4.闩锁效应的典型特征是什么？

A.短路

B.开路

C.过热

D.噪声

5.以下哪种器件对闩锁效应最为敏感？

A.MOSFET

B.BJT

C.JFET

D.CMOS

6.闩锁效应的成因主要包括？

A.晶体管结构