CN119384007A Soi结构的应变硅通道mos器件及其制备方法 (西安石油大学).pdfVIP

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  • 2026-10-17 发布于重庆
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CN119384007A Soi结构的应变硅通道mos器件及其制备方法 (西安石油大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119384007A

(43)申请公布日2025.01.28

(21)申请号202411469929.9H01L21/56(2006.01)

(22)申请日2024.10.21

(71)申请人西安石油大学

地址710000陕西省西安市电子二路东段

18号

(72)发明人郝敏如陈丹婷王玉辰李嘉骏

陈国祥吴华

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事

务所(普通合伙)61230

专利代理师勾慧敏

(51)Int.Cl.

H10D30/60(2025.01)

H10D30/67(2025.01)

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