CN119384052A 基于本征光垂直背入射的外延氮化镓光导器件及制备方法 (中国人民解放军国防科技大学).pdfVIP

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  • 2026-10-19 发布于重庆
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CN119384052A 基于本征光垂直背入射的外延氮化镓光导器件及制备方法 (中国人民解放军国防科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119384052A

(43)申请公布日2025.01.28

(21)申请号202411467348.1H10F77/124(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

(22)申请日2024.10.21

(71)申请人中国人民解放军国防科技大学

地址410073湖南省长沙市开福区德雅路

109号

(72)发明人王朗宁刘福印荀涛王日品

李博涵杨汉武张军

(74)专利代理机构长春市恒誉专利代理事务所

(普通合伙)22212

专利代理师梁紫钺

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